LET-5000系列 半导体静态参数测试系统
型号：LET-5000系列
LET-5000静态参数测试系统是一款测量与分析功率静态参数的专用仪器，为所有类型的功率器件提供静态参数测量解决方案。
产品描述
LET-5000 半导体测试系统是一款测量与分析功率半导体器件静态参数的 专用仪器，为所有类型的功率半导体器件提供静态参数测量解决方案。
LET-5000 半导体测试系统能在 2200V（可扩展为3500V）和1000A （可 扩展为6000A）的条件下实现精确测量、分析功率半导体器件的静态参数。
LET-5000 具有快脉冲能力，并具有优异的宽电压和电流测量能力。
这些功能能够对*新的器件（例如 IGBT）和新型材料（例如 GaN 和 SiC）进行测量，可以测试器件包括：MOSFET、IGBT、二极管、三极 管、JET、HEMT、光耦等。
LET-5000 由多个独立的高精度源组成，每个功率源模块上配备两个独 立的模数(AD)转换器支持 2 µs 采样率， 每个模块上的驱动能够独立精确控制 ，对有可能影响器件特性的关键计时进行精确监测。具有高电压和大电流特性 、μΩ级导通电阻精确测量、nA 级漏电流测量能力等特点，支持高压模式 下功率器件结电容测试，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
被测对象及主要测试参数
被测对象
主要测试参数
分立器件
Id-Vg，Id-Vd，Ic-Vc,二极管
双极
Ic-Vc、二极管、Gummel 图、击穿、hfe、电容
Coms
Id-Vg、Id-Vd、Vth、击穿、电容、QSCV等
内存
Vth、电容、耐久测试等。
MOSFET
Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,电容
IGBT
Ic-Vce，Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),击穿
太阳能电池
I-V、Cp-V、奈奎斯特图、DLCP 等。
纳米器件
电阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc等。
GaN
FET 电流衰减、Id-Vds 电流衰减、二极管电流
LET-5000系统参数：
集电极-发射极
测量电压：
标配：2200V
选件1：3500V
选件2：7000V
测量电流：
标配：1000A
选件1：2000A
选件2：3000A
选件3：4000A
选件4：5000A
选件5：6000A
精度：0.10%
漏电流测试范围：1nA~100mA
栅极-发射极
*大电压：300V
*大电流：10A
精度：0.05%
电压分辨率：30μV
电流分辨率：10pA
电容测试精度：0.50%
频率范围：10Hz-1MHz
电容值范围：0.01pF-9.9999F
image.png
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image.png订货规格：
LET-5210 电压范围：0-2200V，电流范围：0-1000A
LET-5220 电压范围：0-2200V，电流范围：0-2000A
LET-5230 电压范围：0-2200V，电流范围：0-3000A
LET-5240 电压范围：0-2200V，电流范围：0-4000A
LET-5250 电压范围：0-2200V，电流范围：0-5000A
LET-5260 电压范围：0-2200V，电流范围：0-6000A
LET-5310 电压范围：0-3500V，电流范围：0-1000A
LET-5320 电压范围：0-3500V，电流范围：0-2000A
LET-5330 电压范围：0-3500V，电流范围：0-3000A
LET-5340 电压范围：0-3500V，电流范围：0-4000A
LET-5350 电压范围：0-3500V，电流范围：0-5000A
LET-5360 电压范围：0-3500V，电流范围：0-6000A
LET-5710 电压范围：0-7000V，电流范围：0-1000A
LET-5720 电压范围：0-7000V，电流范围：0-2000A
LET-5730 电压范围：0-7000V，电流范围：0-3000A
LET-5240 电压范围：0-7000V，电流范围：0-4000A
LET-5750 电压范围：0-7000V，电流范围：0-5000A
LET-5760 电压范围：0-7000V，电流范围：0-6000A
