T3Ster热阻测试仪
T3Ster是MicReD研发制造的先进的热测试仪，用于测试IC、LED、散热器、热管等电子器件的热特性。T3Ster基于先进的JEDEC ‘Static Method’测试方法（JESD51-1），通过改变电子器件的输入功率，使得器件产生温度变化，在变化过程中，T3Ster测试出芯片的瞬态温度响应曲线，仅在几分钟之内即可分析得到关于该电子器件的全面的热特性。T3Ster测试技术不是基于“脉冲方法”的热测试仪，“脉冲方法”由于是基于延时测量的技术所以其测出的温度瞬态测试曲线精度不高，而T3Ster 采用的是“运行中”的实时测量的方法，结合其精密的硬件可以快速精确扑捉到高信噪比的温度瞬态曲线。
T3Ster运用先进的JEDEC稳态实时测试方法（JESD51-1），测试各类IC（包括二极管、三极管、MOSFET、SOC、MEMS等）、LED、散热器、热管、PCB及导热材料等的热阻、热容及导热系数、接触热阻等热特性。配合专为LED产业开发的选配件TERALED可以实现LED器件和组件的光热一体化测量。
符合JEDEC JESD51-1和MIL-STD-750E标准法规。
T3Ster热阻测试仪工作原理
T3Ster设备提供了非破坏性的热测试方法，其原理为：
1) 首先通过改变电子器件的功率输入；
2) 通过TSP (Temperature Sensitive Parameter热敏参数)测试出电子器件的瞬态温度变化曲线；
3) 对温度变化曲线进行数值处理，抽取出结构函数；
4) 从结构函数中自动分析出热阻和热容等热属性参数。
T3Ster热阻测试仪设备参数
● 加热电压范围：标配1-10V，不确定度小于±1%。选配功率放大器，*大电压可达280V
● 加热电流范围：标配0.01-2A，不确定度小于±1%。选配功率放大器，*大电流达100A或更大
● 加热功率脉冲：无时间限制
● 热阻测量范围：0.002-1000℃/W，不确定度小于±1%
● 测试通道数量：标配2通道，同一主机箱内可以升级至8通道
● 温度采集响应时间：1μs
● 温度测量精度：±0.01℃
● 通道测量解析度：12bit
● 通道噪声：±1bit
● 取样容量：每个通道64k
T3Ster热阻测试仪应用范围
● 各种三极管、二极管等半导体分立器件，包括：常见的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件。
● 各种复杂的IC以及MCM、SIP、SoC等新型结构 。
● 各种复杂的散热模组的热特性测试，如热管、风扇等。
● 半导体器件结温测量。
● 半导体器件稳态热阻及瞬态热阻抗测量。
● 半导体器件封装内部结构分析，包括器件封装内部每层结构（芯片+焊接层+热沉等）的热阻和热容参数。
● 半导体器件老化试验分析和封装缺陷诊断，帮助用户准确定位封装内部的缺陷结构。
● 材料热特性测量（导热系数和比热容）。
● 接触热阻测量，包括导热胶、新型热接触材料的导热性能测试。
T3Ster热阻测试仪主要特点
● T3Ster符合JEDEC JESD51-1和MIL-STD-750E标准法规。
● T3Ster兼具JESD51-1定义的静态测试法（Static Mode）与动态测试法（Dynamic Mode），能够实时采集器件瞬态温度响应曲线（包括升温曲线与降温曲线），其采样率高达1微秒，测试延迟时间高达1微秒，结温分辨率高达0.01℃。
● T3Ster既能测试稳态热阻，也能测试瞬态热阻抗。
● T3Ster的研发者MicRed制定了全球一个用于测试LED的国际标准JESD51-51，以及LED光热一体化的测试标准JESD51-52。T3Ster和TeraLED是目前全球满足此标准所规定的光热一体化测试要求的。
● T3Ster独创的Structure Function(结构函数)分析法，能够分析器件热传导路径上每层结构的热学性能（热阻和热容参数），构建器件等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性试验、材料热特性以及接触热阻的强大支持工具。因此被誉为热测试中的“X射线”。
● T3Ster可以和热仿真软件FloEFD无缝结合，将实际测试得到的器件热学参数导入仿真软件进行后续仿真优化。
